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SYDD-4型電力電子技術實驗箱

2024-01-27 09:12:00

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寧河實驗裝置定做

一、系統優點和缺點

(1)進(jin)行(xing)(xing)進(jin)行(xing)(xing)實驗箱利用搭配組(zu)合組(zu)成(cheng)，故(gu)組(zu)成(cheng)狹窄(zhai)、便用便捷、的功能(neng)很全、終合功效好(hao)，能(neng)在一項保護(hu)裝置上(shang)做完《功率光電子技術》單、三相電變流技術進(jin)行(xing)(xing)進(jin)行(xing)(xing)實驗。

(2)研(yan)究(jiu)(jiu)報告(gao)(gao)保(bao)護裝(zhuang)置(zhi)設(she)備征占面積小(xiao)，避免浪費(fei)研(yan)究(jiu)(jiu)報告(gao)(gao)室農業用(yong)地，不能自己(ji)設(she)立開(kai)(kai)關(guan)電(dian)壓(ya)抑制屏、電(dian)線管溝、水泥(ni)沙墩等(deng)，可可以減少工程項目投(tou)(tou)資(zi)項目；研(yan)究(jiu)(jiu)報告(gao)(gao)保(bao)護裝(zhuang)置(zhi)設(she)備只需相電(dian)壓(ya)五線的(de)開(kai)(kai)關(guan)電(dian)壓(ya)可以了財政投(tou)(tou)入運行，研(yan)究(jiu)(jiu)報告(gao)(gao)室構建頻次短、奏(zou)效快。

(3)系(xi)統(tong)(tong)布局有(you)效率有(you)效率，外觀(guan)形(xing)狀大方，后蓋板圖示圖確切、不清(qing)、直觀(guan)性；調查連到線(xian)主(zhu)要包括強、強電(dian)系(xi)統(tong)(tong)錯開的手(shou)槍(qiang)式插孔，三者是不能(neng)互插，盡量避(bi)免強電(dian)組網強電(dian)系(xi)統(tong)(tong)產(chan)品(pin)，會導致該(gai)產(chan)品(pin)破損(sun)；電(dian)源線(xian)路連到形(xing)式安全管理、穩定可靠(kao)、迅猛、便捷。

(4)380V電(dian)源線(xian)擁有漏(lou)電(dian)養護的(de)英文和接地線(xian)養護的(de)英文安裝，提高認(ren)識行(xing)之有效養護的(de)英文作業者的(de)人身事(shi)故安全保(bao)障，為打開性的(de)實驗性室制造了要(yao)素水(shui)平(ping)。

(5)模塊(kuai)后蓋板氛圍三(san)個接線柱孔(kong)，強電、弱電系統及(ji)波型探測孔(kong)，而(er)此三(san)者有很明顯的不(bu)同之處(chu)，不(bu)可互插。

(6)實驗電路決定也(ye)要緊隨培(pei)訓(xun)教(jiao)學大(da)綱的變換，根本密切配合培(pei)訓(xun)知識，能夠(gou)滿足培(pei)訓(xun)教(jiao)學大(da)綱的要求。

二(er)、技術應用安全性能

(1)復(fu)制粘貼電流(liu)電壓三相電機五線制 380V±10% 50±1Hz

(2)做工作區域(yu) 區域(yu)的溫度(du)條(tiao)件為(wei)-10～40℃，相絕對濕度(du)≤85%（25℃），氣(qi)溫≤4000m

(3)保護(hu)裝(zhuang)置存儲量：≤0.5kVA

(4)外觀盡(jin)寸：長×寬×高=1000 ㎜×400 ㎜×220㎜

三、產品造成

研(yan)究皮包含24v電(dian)源及電(dian)流(liu)儀器(qi)儀表(biao)箱(xiang)和單(dan)、三相電(dian)驅散(san)及主三極管研(yan)究箱(xiang)。

電源及負載儀表箱由三相漏電保護器作為電源總開關，提供三相整流變壓器一組，三相同步變壓器一組，三相燈泡負載一組，300歐姆大功率電阻負載一組，平波電抗器（0，100mH，200mH，700mH）一組，實驗箱右邊提供2只單相86型電源插座，可為示波器和單三相觸發實驗箱供電。
  單、三相觸發及主電路實驗箱：包含六路晶閘管主電路，三組二極管元件，BT33單結晶體管觸發電路，TC785集成觸發電路，三相集成觸發電路及功放電路等。

能(neng)供應6只5A/1000V的(de)雙(shuang)向(xiang)雙(shuang)向(xiang)可(ke)(ke)(ke)控(kong)硅，能(neng)供應3只5A/1000V的(de)二級管，每(mei)只雙(shuang)向(xiang)雙(shuang)向(xiang)可(ke)(ke)(ke)控(kong)硅均下設(she)(she)防(fang)護(hu)裝置，雙(shuang)向(xiang)雙(shuang)向(xiang)可(ke)(ke)(ke)控(kong)硅可(ke)(ke)(ke)經過外部數據對其進行驅散（留存驅散脈沖發(fa)生器放入接口(kou)標準(zhun)），可(ke)(ke)(ke)更佳的(de)完(wan)整結構(gou)設(she)(she)計性實驗(yan)；下設(she)(she)指示針式(shi)直流電壓直流電壓表±150V一(yi)條。直流電壓直流電壓表±2A一(yi)條。

四、可做好的檢測(ce)產(chan)品

（1）兩相電(dian)可(ke)控硅捕(bu)獲（BT33捕(bu)獲）電(dian)路系統實驗英(ying)文

（2）三相變頻器雙向(xiang)晶閘管釋(shi)放(fang)（TCA785集合釋(shi)放(fang)）電(dian)路原理實(shi)驗所

（3）三相電源雙向可控硅(gui)一體(ti)化打斷三極管科學試驗(yan)

（4）兩(liang)相電(dian)半波控制整(zheng)流電(dian)路原理科(ke)學實驗

（5）單相電橋式半控整流(liu)電源電路；

（6）兩相電(dian)橋式全控整(zheng)流電(dian)源電(dian)路試驗

（7）三相電機半(ban)波可控制(zhi)整流電源(yuan)電路測(ce)試

（8）三相四線制橋式半控(kong)整流控(kong)制電(dian)路科學(xue)實驗

（9）380V橋(qiao)式全(quan)控整流用電線路科學實驗

（10）兩(liang)相(xiang)電聯絡調壓電式路；

（11）單相溝通交(jiao)流調(diao)光電探測器路。